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🧪 kosha2017_012_013

epiedit 검토 완료 최종데이터 (읽기 전용) · 측정정보 최종수정 2026-07-12 (bjw)

📄 이 사건의 질병 레코드

급성 골수모구성 백혈병 / 전자 부품 및 제품 제조 기계 조작원 / IDS 1468

⚗️ 유해물질 측정 11건

측정시기 물질 농도 단위 원문 인용
불명 벤젠
→ 벤젠 · CAS 71-43-2 · IARC 1
 불검출 —
그 결과 벤젠, 산화에틸렌, PAH(12종)는 모두 불검출이었고, 포름알데히드는 0.001~0.002ppm으로 노출기준(0.3ppm)에 비교해서 매우 낮은 수준이었다.
불명 산화에틸렌
→ 산화에틸렌 · CAS 75-21-8 · IARC 1
 불검출 —
그 결과 벤젠, 산화에틸렌, PAH(12종)는 모두 불검출이었고, 포름알데히드는 0.001~0.002ppm으로 노출기준(0.3ppm)에 비교해서 매우 낮은 수준이었다.
불명 PAH(12종)
→ 다환방향족탄화수소 · IARC Group 1
맥락: 12종
 불검출 —
그 결과 벤젠, 산화에틸렌, PAH(12종)는 모두 불검출이었고, 포름알데히드는 0.001~0.002ppm으로 노출기준(0.3ppm)에 비교해서 매우 낮은 수준이었다.
불명 포름알데히드
→ 포름알데히드 · CAS 50-00-0 · IARC 1
 0.001~0.002 ppm
포름알데히드는 0.001~0.002ppm으로 노출기준(0.3ppm)에 비교해서 매우 낮은 수준이었다.
2013년 상반기 기타분진(유리규산 1% 이하)
→ 일반 분진
맥락: 유리규산 1% 이하
 노출기준에 비해 매우 낮은 수준이거나 불검출 —
기타분진(유리규산 1% 이하), 베릴륨 및 함유제제, 은(금속), 산화마그네슘, 오존, 이소프로필알콜, 유리섬유가 측정대상 물질이었으며, 모두 노출기준에 비해 매우 낮은 수준이거나 불검출로 확인되었다.
2013년 상반기 베릴륨 및 함유제제
→ 베릴륨 및 그 화합물 · CAS 7440-41-7 · IARC 1
 노출기준에 비해 매우 낮은 수준이거나 불검출 —
기타분진(유리규산 1% 이하), 베릴륨 및 함유제제, 은(금속), 산화마그네슘, 오존, 이소프로필알콜, 유리섬유가 측정대상 물질이었으며, 모두 노출기준에 비해 매우 낮은 수준이거나 불검출로 확인되었다.
2013년 상반기 은(금속)
→ 은 및 그 가용성 화합물 · CAS 7440-22-4
맥락: 금속
 노출기준에 비해 매우 낮은 수준이거나 불검출 —
기타분진(유리규산 1% 이하), 베릴륨 및 함유제제, 은(금속), 산화마그네슘, 오존, 이소프로필알콜, 유리섬유가 측정대상 물질이었으며, 모두 노출기준에 비해 매우 낮은 수준이거나 불검출로 확인되었다.
2013년 상반기 산화마그네슘
→ 산화마그네슘 · CAS 1309-48-4
 노출기준에 비해 매우 낮은 수준이거나 불검출 —
기타분진(유리규산 1% 이하), 베릴륨 및 함유제제, 은(금속), 산화마그네슘, 오존, 이소프로필알콜, 유리섬유가 측정대상 물질이었으며, 모두 노출기준에 비해 매우 낮은 수준이거나 불검출로 확인되었다.
2013년 상반기 오존
→ 오존 · CAS 10028-15-6
 노출기준에 비해 매우 낮은 수준이거나 불검출 —
기타분진(유리규산 1% 이하), 베릴륨 및 함유제제, 은(금속), 산화마그네슘, 오존, 이소프로필알콜, 유리섬유가 측정대상 물질이었으며, 모두 노출기준에 비해 매우 낮은 수준이거나 불검출로 확인되었다.
2013년 상반기 이소프로필알콜
→ 이소프로필 알코올 · CAS 67-63-0 · IARC 3
 노출기준에 비해 매우 낮은 수준이거나 불검출 —
기타분진(유리규산 1% 이하), 베릴륨 및 함유제제, 은(금속), 산화마그네슘, 오존, 이소프로필알콜, 유리섬유가 측정대상 물질이었으며, 모두 노출기준에 비해 매우 낮은 수준이거나 불검출로 확인되었다.
2013년 상반기 유리섬유
→ 유리 섬유
 노출기준에 비해 매우 낮은 수준이거나 불검출 —
기타분진(유리규산 1% 이하), 베릴륨 및 함유제제, 은(금속), 산화마그네슘, 오존, 이소프로필알콜, 유리섬유가 측정대상 물질이었으며, 모두 노출기준에 비해 매우 낮은 수준이거나 불검출로 확인되었다.

📅 노출기간 1건

시작시기 종료시기 총기간 빈도 원문 인용
2004년 10월 18일(만17세) — — —
근로자 OOO은 2004년 10월 18일(만17세)에 반도체 제조 공정을 하는 □사업장에 입사하여 2011년 3월 31일까지 검사업무를 수행하였고 2011년 4월 1일부터는 디스플레이□사업장에서 증착공정 설비의 정상작동 여부를 확인하는 PC 모니터링 및 패널의 불량 유무를 검사하는 모니터링 업무를 하였다

🏭 작업환경 2건

공정 환기설비 환기 불량한 공간 원문 인용
반도체 제조 공정 검사업무 — —
2004년 10월 18일(만17세)에 반도체 제조 공정을 하는 □사업장에 입사하여 2011년 3월 31일까지 검사업무를 수행하였고 2011년 4월 1일부터는 디스플레이□사업장에서 증착공정 설비의 정상작동 여부를 확인하는 PC 모니터링 및 패널의 불량 유무를 검사하는 모니터링 업무를 하였다
고온의 증착 온도(350~400℃)에서 재료가 기화되는 공정 — —
고온의 증착 온도(350~400℃)에서 재료가 기화되는 과정에서 벤젠이 발생될 가능성도 있다고 추정하였다

🦺 보호구 0건

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